IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects.
IEEE《电子器件学报》发表了有关电子和离子集成电路器件和互连的理论、建模、设计、性能和可靠性方面的原创和重大贡献。
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期刊ISSN
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0018-9383 |
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最新的影响因子
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3.1 |
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最新CiteScore值
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2.9 |
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最新自引率
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19.30% |
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期刊官方网址
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http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16 |
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期刊投稿网址
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https://mc.manuscriptcentral.com/ted |
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通讯地址
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IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 |
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偏重的研究方向（学科）
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工程技术-工程：电子与电气 |
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出版周期
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Monthly |
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平均审稿速度
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平均4.7个月 |
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出版年份
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0 |
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出版国家/地区
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UNITED STATES |
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是否OA
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No |
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SCI期刊coverage
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Science Citation Index Expanded（科学引文索引扩展） |
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NCBI查询
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PubMed Central (PMC)链接 全文检索(pubmed central) |
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最新中科院JCR分区
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大类(学科)
小类(学科)
JCR学科排名
物理
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC(工程学，电气和电子) 2区
PHYSICS, APPLIED(物理学，应用) 2区
86/260
47/146
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最新的影响因子
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3.1 | |||||||
| 最新公布的期刊年发文量 |
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| 总被引频次 | 23686 | |||||||
| 特征因子 | 0.025130 | |||||||
| 影响因子趋势图 |
2007年以来影响因子趋势图（整体平稳趋势）
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最新CiteScore值
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2.9
=
引文计数(2018)
文献(2015-2017)
=
5901次引用
2035篇文献
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| 文献总数（2014-2016） | 2035 | ||||||||||
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被引用比率
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77% | ||||||||||
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SJR
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0.839 | ||||||||||
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SNIP
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1.49 | ||||||||||
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CiteScore排名
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| CiteScore趋势图 |
CiteScore趋势图
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| scopus涵盖范围 |
scopus趋势图
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| 分享者 | 点评内容 |
